据新华社东京10月12日电（记者　钱　铮）日本的一个研究小组日前宣布，他们利用分子聚集并自然排布的现象，用高分子材料制成了宽度仅１０纳米的超微结构，这种新技术有望大幅提高半导体的性能。

　　据日本媒体报道，日本京都大学和日立制作所的联合研究小组对高分子膜覆盖的基板进行特殊处理，制成了这种超微结构。如果在该结构表面覆盖氧化物，就可能使这种结构具有半导体的性能，其制成的半导体产品的性能将会达到目前半导体产品的９倍。